ニュースの要約
- STマイクロエレクトロニクスとInnoscienceがGaN技術の開発・製造で合意
- 両社が互いの製造拠点を活用し、サプライチェーンの強化を目指す
- GaN技術の活用により、電子機器の小型化・高効率化が期待される
概要
半導体大手のSTマイクロエレクトロニクスと中国のInnoscienceは、GaN(窒化ガリウム)技術の開発と製造に関する合意を発表しました。
両社は、それぞれの強みを活かして、AIデータセンター、再生可能エネルギー、車載用など、様々な分野でのGaNパワーソリューションの強化を目指します。 Innoscienceは中国外のSTの製造拠点で、STは中国のInnoscienceの拠点で、お互いのGaNウェハを利用できるようになります。これにより、両社のサプライチェーンの柔軟性とレジリエンスが高まり、幅広い顧客ニーズに対応できるようになります。
GaN技術は、シリコンや炭化ケイ素に比べ、小型化や高効率化に優れており、消費電力の大幅な削減が期待されています。コンシューマ機器やデータセンター、車載用など、様々な分野での急速な導入が進んでいます。今回の合意によってGaN技術の更なる発展が期待されます。
編集部の感想
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STマイクロエレクトロニクスとInnoscienceは有力なGaN技術のプレイヤーが組んだ注目の提携ですね。
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GaN技術の進化により、電子機器の省エネ化や小型化に期待が高まっています。両社の協力関係は業界全体の発展につながりそうです。
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相互の製造拠点活用で、サプライチェーンの強化も図られるので、需要の急増にも柔軟に対応できそうです。
編集部のまとめ
STマイクロエレクトロニクス・Innoscience：GaN技術の開発・製造に関する合意を発表についてまとめました
STマイクロエレクトロニクスとInnoscienceが、GaN技術の開発と製造に関する合意を結んだことは大変注目に値する発表です。
両社の強みを組み合わせることで、GaNパワーソリューションの更なる進化が期待できます。特に、サプライチェーンの強化は重要なポイントです。急速に高まるGaN需要に、両社の協力によって柔軟に対応できるようになると考えられます。
また、GaN技術の優位性である小型化と高効率化によってさまざまな分野で電子機器の性能向上が期待されており、省エネルギーの実現にもつながることから、SDGsの達成にも寄与することが期待できます。今後の両社の取り組みに注目していきたいと思います。
参照元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000001449.000001337.html
